Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| BLF645,112 Лист данных | скачать |
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 11 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 100 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 1.3 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 60 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-540A-5 |
| Усиление | 18 dB |