Ничего не куплено!
Описание | действие |
AFT20S015GNR1 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы | |
Id - непрерывный ток утечки | 132 mA |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 500 mV, + 65 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 11 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вес изделия | 548 mg |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходная мощность | 1.5 W |
Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | NXP |
Рабочая частота | 100 MHz to 3.6 GHz |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | AFT20S015N |
Тип | RF Power MOSFET |
Торговая марка | NXP / Freescale |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | TO-270-2 |
Усиление | 17.6 dB |