Ничего не куплено!
2SK3475TE12LF
Производитель: Toshiba
Номер части: 2SK3475TE12LF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2SK3475TE12LF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 630 mW |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Toshiba |
| Рабочая частота | 520 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PW-Mini-3 |
| Усиление | 14.9 dB |
Страница создана за 0.98 секунд.