Ничего не куплено!
BLS7G2729L-350P,11
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLS7G2729L-350P,11
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BLS7G2729L-350P,11
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BLS7G2729L-350P,11 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы LDMOS S-Band radar power transistor
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 11 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16.2 S |
| Максимальная рабочая температура | + 225 C |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 2.7 GHz to 2.9 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 20 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-539A |
| Усиление | 13 dB |
Страница создана за 0.143 секунд.