Ничего не куплено!
BG 3130R H6327
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BG 3130R H6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BG 3130R H6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ МОП-транзисторы RF MOSFETS
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BG3130RH6327XT BG3130RH6327XTSA1 SP000753496 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Рабочая частота | 800 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BG3130 |
| Тип | RF Small Signal MOSFET |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-363 |
| Усиление | 24 dB |
Страница создана за 0.145 секунд.