Ничего не куплено!
BLA6G1011LS-200RG,
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLA6G1011LS-200RG,
Нормоупаковка: 20 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BLA6G1011LS-200RG,
Нормоупаковка: 20 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BLA6G1011LS-200RG, Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы PWR LDMOS TRANSISTOR
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 49 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 930 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 13 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 200 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 1.03 GHz to 1.09 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 20 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-502C-3 |
| Усиление | 20 dB |
Страница создана за 0.2 секунд.