BLF6G10LS-135R,118

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLF6G10LS-135R,118
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BLF6G10LS-135R,118 Лист данных	скачать

РЧ МОП-транзисторы LDMOS TNS

РЧ МОП-транзисторы
Id - непрерывный ток утечки	32 A
Pd - рассеивание мощности	125 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	65 V
Vgs - напряжение затвор-исток	13 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.9 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Выходная мощность	26.5 W
Другие названия товара №	/T3 BLF6G10LS-135R
Категория продукта	РЧ МОП-транзисторы
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Рабочая частота	0.7 GHz to 1 GHz
Размер фабричной упаковки	100
Технология	Si
Тип	RF Power MOSFET
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-502B-3
Усиление	21 dB

Метки: