Ничего не куплено!
PTFA220081M V4-T
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: PTFA220081M V4-T
Нормоупаковка: 500 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: PTFA220081M V4-T
Нормоупаковка: 500 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| PTFA220081M V4-T Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы RFP-LDMOS GOLDMOS 8
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 8 W |
| Другие названия товара № | PTFA220081MV4XUMA1 SP000707920 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Рабочая частота | 0.7 GHz to 2.2 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | PTFA220081 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PG-SON-10 |
| Усиление | 17 dB |
Страница создана за 2.062 секунд.