Ничего не куплено!
AGR09030EF
Производитель: Advanced Semiconductor, Inc.
Номер части: AGR09030EF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: AGR09030EF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ МОП-транзисторы RF Transistor
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.25 A |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Рабочая частота | 895 MHz |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Упаковка | Tray |
Страница создана за 0.137 секунд.