Ничего не куплено!
BF 999 E6327
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BF 999 E6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BF 999 E6327
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BF 999 E6327 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы Silicon N-Channel MOSFET Triode
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 0.03 A |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 6.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BF999 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Small Signal MOSFET |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23 |
Страница создана за 0.304 секунд.