Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| AFT18P350-4S2LR6 Лист данных | скачать |
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1000 mA |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Вес изделия | 8.518 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 63 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 1805 MHz to 1880 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 150 |
| Серия | AFT18P350_4S2L |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP / Freescale |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | NI-1230-4 |
| Усиление | 16.1 dB |