Ничего не куплено!
BLF8G22L-160BV,112
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLF8G22L-160BV,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BLF8G22L-160BV,112
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BLF8G22L-160BV,112 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы 160W LDMOS TRANSISTR
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 13 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 60 |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-1120B-7 |
Страница создана за 0.14 секунд.