Ничего не куплено!
BF1206F,115
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BF1206F,115
Нормоупаковка: 4000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BF1206F,115
Нормоупаковка: 4000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| BF1206F,115 Лист данных | скачать |
РЧ МОП-транзисторы Dual N-Channel 6V 30mA 180mW
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 mA, 30 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 180 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | - |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 6 V, 6 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Полярность транзистора | Dual N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Тип | RF Small Signal MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-666-6 |
Страница создана за 0.147 секунд.