Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| MMBFJ309 Лист данных | скачать |
| РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
| Подкатегория | Transistors |
| Продукт | RF JFET |
| Тип | JFET |
| Тип продукта | RF JFET Transistors |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 25 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Вес изделия | 8 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Диапазон рабочих температур | - 55 C to + 150 C |
| Другие названия товара № | MMBFJ309_NL |
| Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.01 S to 0.02 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение отсечки затвор-исток | - 4 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMBFJ309 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | JFET |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| CAHTS | 8541210000 |
| CNHTS | 8541210000 |
| ECCN | EAR99 |
| JPHTS | 8541210101 |
| KRHTS | 8541219000 |
| MXHTS | 85412101 |
| TARIC | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |