Ничего не куплено!
J110,126
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: J110,126
Нормоупаковка: 10000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: J110,126
Нормоупаковка: 10000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| J110,126 Лист данных | скачать |
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 80mA
| РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 25 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение отсечки затвор-исток | 10 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | JFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Упаковка / блок | TO-92 |
Страница создана за 0.159 секунд.