CGH40090PP

CGH40090PP

CGH40090PP
Производитель: Cree, Inc.
Номер части: CGH40090PP
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 28V 90W Gain 12.5dB GaN HEMT
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Id - непрерывный ток утечки 12 A
NF - коэффициент шумов -
P1dB - точка сжатия -
Pd - рассеивание мощности -
Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to + 2 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток 120 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток - 3 V
Вид монтажа Screw
Выходная мощность 100 W
Диапазон рабочих температур -
Категория продукта РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Класс -
Конфигурация Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. -
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура - 40 C
Напряжение отсечки затвор-исток -
Полярность транзистора N-Channel
Применение -
Производитель Cree, Inc.
Рабочая частота 500 MHz to 2.5 GHz
Средства разработки CGH40090PP-TB
Технология GaN SiC
Тип транзистора HEMT
Торговая марка Cree, Inc.
Упаковка Tube
Упаковка / блок 440199
Усиление 12.5 dB
Метки:
Страница создана за 0.142 секунд.