CLF1G0060S-30U

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: CLF1G0060S-30U
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
CLF1G0060S-30U Лист данных	скачать

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Broadband RF power GaN HEMT

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Id - непрерывный ток утечки	5.1 A
Vds - напряжение пробоя затвор-исток	3 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Диапазон рабочих температур	- 65 C to + 150 C
Категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.1 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Рабочая частота	3.5 GHz
Технология	GaN Si
Тип транзистора	HEMT
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT1227B
Усиление	13 dB

Метки: