Ничего не куплено!
TGF2160
Производитель: TriQuint (Qorvo)
Номер части: TGF2160
Нормоупаковка: 100 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: TGF2160
Нормоупаковка: 100 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
| РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
| Id - непрерывный ток утечки | 517 mA |
| P1dB - точка сжатия | 32.5 dBm |
| Pd - рассеивание мощности | 5.6 W |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 7 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Диапазон рабочих температур | - 65 C to + 150 C |
| Другие названия товара № | 1098617 |
| Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 619 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Производитель | Qorvo |
| Рабочая частота | 20 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Технология | GaAs |
| Тип транзистора | pHEMT |
| Торговая марка | TriQuint (Qorvo) |
| Упаковка | Tray |
| Усиление | 10.4 dB |
Страница создана за 0.156 секунд.