Ничего не куплено!
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
Id - непрерывный ток утечки | 35 mA |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 Ohms |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 30 V |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | AMO J176 |
Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение сток-затвор | 30 V |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение отсечки затвор-исток | 1 V to 4 V |
Полярность транзистора | P-Channel |
Производитель | NXP |
Технология | Si |
Тип транзистора | JFET |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Упаковка | Ammo Pack |
Упаковка / блок | SC-43 (TO-92) |