Ничего не куплено!


| РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 30 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | AMO J176 |
| Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение отсечки затвор-исток | 1 V to 4 V |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | NXP |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | JFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Упаковка / блок | SC-43 (TO-92) |