Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| TGF2819-FL Лист данных | скачать |
| РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
| Ограничения на доставку | На данный момент "Системы ТЛТ" не поставляет эту продукцию в ваш регион. |
| Подкатегория | Transistors |
| Тип | GaN SiC HEMT |
| Тип продукта | RF JFET Transistors |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.32 A |
| Pd - рассеивание мощности | 86 W |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 2.9 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 32 V |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Выходная мощность | 100 W |
| Диапазон рабочих температур | - 40 C to + 85 C |
| Другие названия товара № | 1118709 772-TGF2819-FS-EVB1 |
| Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 145 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Qorvo |
| Рабочая частота | 3.5 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Средства разработки | TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD |
| Технология | GaN SiC |
| Тип транзистора | HEMT |
| Торговая марка | Qorvo |
| Упаковка | Tray |
| Усиление | 14 dB |
| CAHTS | 8542330000 |
| CNHTS | 8542319000 |
| ECCN | 3A001.b.3.a |
| JPHTS | 8542330996 |
| KRHTS | 8532331000 |
| MXHTS | 85423901 |
| TARIC | 8542399000 |
| USHTS | 8542330001 |