Ничего не куплено!
Описание | действие |
TGF2819-FL Лист данных | скачать |
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
Ограничения на доставку | На данный момент "Системы ТЛТ" не поставляет эту продукцию в ваш регион. |
Подкатегория | Transistors |
Тип | GaN SiC HEMT |
Тип продукта | RF JFET Transistors |
Чувствительный к влажности | Yes |
Id - непрерывный ток утечки | 7.32 A |
Pd - рассеивание мощности | 86 W |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 2.9 V |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 32 V |
Вид монтажа | Screw Mount |
Выходная мощность | 100 W |
Диапазон рабочих температур | - 40 C to + 85 C |
Другие названия товара № | 1118709 772-TGF2819-FS-EVB1 |
Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Максимальное напряжение сток-затвор | 145 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Qorvo |
Рабочая частота | 3.5 GHz |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Средства разработки | TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD |
Технология | GaN SiC |
Тип транзистора | HEMT |
Торговая марка | Qorvo |
Упаковка | Tray |
Усиление | 14 dB |
CAHTS | 8542330000 |
CNHTS | 8542319000 |
ECCN | 3A001.b.3.a |
JPHTS | 8542330996 |
KRHTS | 8532331000 |
MXHTS | 85423901 |
TARIC | 8542399000 |
USHTS | 8542330001 |