TGF2819-FL

TGF2819-FL

TGF2819-FL
Производитель: TriQuint (Qorvo)
Номер части: TGF2819-FL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
TGF2819-FL Лист данных скачать
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Ограничения на доставку На данный момент "Системы ТЛТ" не поставляет эту продукцию в ваш регион.
Подкатегория Transistors
Тип GaN SiC HEMT
Тип продукта RF JFET Transistors
Чувствительный к влажности Yes
Id - непрерывный ток утечки 7.32 A
Pd - рассеивание мощности 86 W
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.9 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
Вид монтажа Screw Mount
Выходная мощность 100 W
Диапазон рабочих температур - 40 C to + 85 C
Другие названия товара № 1118709 772-TGF2819-FS-EVB1
Категория продукта РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 85 C
Максимальное напряжение сток-затвор 145 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Qorvo
Рабочая частота 3.5 GHz
Размер фабричной упаковки 25
Средства разработки TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD
Технология GaN SiC
Тип транзистора HEMT
Торговая марка Qorvo
Упаковка Tray
Усиление 14 dB
CAHTS 8542330000
CNHTS 8542319000
ECCN 3A001.b.3.a
JPHTS 8542330996
KRHTS 8532331000
MXHTS 85423901
TARIC 8542399000
USHTS 8542330001
Метки:
Страница создана за 0.171 секунд.