Ничего не куплено!
NE3509M04-A
Производитель: CEL
Номер части: NE3509M04-A
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NE3509M04-A
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
| РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 mA |
| NF - коэффициент шумов | 0.4 dB |
| P1dB - точка сжатия | 11 dBm |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 3 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение отсечки затвор-исток | - 0.5 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | CEL |
| Рабочая частота | 2 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | GaAs |
| Тип транзистора | HFET |
| Торговая марка | CEL |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | FTSMM-4 (M04) |
| Усиление | 17.5 dB |
Страница создана за 0.146 секунд.