Ничего не куплено!
HMC-ALH102
Производитель: Analog Devices / Hittite
Номер части: HMC-ALH102
Нормоупаковка: 25 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: HMC-ALH102
Нормоупаковка: 25 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| HMC-ALH102 Лист данных | скачать |
РЧ-усилитель GaAs HEMT WBand lo Noise amp 2 - 20 GHz
| РЧ-усилитель | |
| NF - коэффициент шумов | 2.5 dB |
| OIP3 - перехват составляющих третьего порядка | - |
| P1dB - точка сжатия | 10 dBm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Входные потери на отражение | 15 dB |
| Категория продукта | РЧ-усилитель |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Производитель | Analog Devices Inc. |
| Рабочая частота | 20 GHz |
| Рабочее напряжение питания | 2 V |
| Рабочий ток источника питания | 55 mA |
| Серия | HMC-ALH102G |
| Тестовая частота | - |
| Технология | GaAs |
| Тип | RF Amplifier |
| Тип усилителя | LNA |
| Торговая марка | Analog Devices / Hittite |
| Упаковка | Gel Pack |
| Упаковка / блок | Die |
| Усиление | 11.6 dB |
| Частотный диапазон | 2 GHz to 20 GHz |
Страница создана за 0.171 секунд.