Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| SA630D/01,112 Лист данных | скачать |
| ИС, РЧ-переключатели | |
| Pd - рассеивание мощности | 780 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вносимые потери | 1 dB |
| Другие названия товара № | SA630D/01 |
| Изоляция в выключенном состоянии - типич. | 68 dB |
| Категория продукта | ИС, РЧ-переключатели |
| Количество переключателей | Single |
| Конфигурация переключателей | SPDT |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение питания - макс. | + 5.5 V |
| Напряжение питания - мин. | - 0.5 V |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 1 GHz |
| Рабочий ток источника питания | 170 uA |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Технология | Silicon |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SO-8 |