Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| MMBT5401-G Лист данных | скачать |
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 80 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 150 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | - 600 mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | Comchip Technology |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMBT5401 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | Bipolar Power |
| Торговая марка | Comchip Technology |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23 |