Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| MRF555T Лист данных | скачать |
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 50 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 16 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Рабочая частота | 470 MHz |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | Case 317D-02 |