Ничего не куплено!
BLL6H1214P2S-250Z
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLL6H1214P2S-250Z
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BLL6H1214P2S-250Z
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ МОП-транзисторы LDMOS L-band radar power module
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | - |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 13 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Производитель | NXP |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tray |
Страница создана за 0.456 секунд.