Ничего не куплено!


| РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом | |
| Id - непрерывный ток утечки | 70 mA |
| NF - коэффициент шумов | 0.75 dB |
| Pd - рассеивание мощности | 165 mW |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 3 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Напряжение отсечки затвор-исток | - 0.7 V |
| Производитель | CEL |
| Рабочая частота | 20 GHz |
| Технология | GaAs |
| Тип транзистора | pHEMT |
| Торговая марка | CEL |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | S0-2 |
| Усиление | 10 dB |