Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| QSE113E3R0 Лист данных | скачать |
| Фототранзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Вес изделия | 135 mg |
| Время нарастания | 8 us |
| Время спада | 8 us |
| Другие названия товара № | QSE113E3R0_NL |
| Категория продукта | Фототранзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Серия | QSE113 |
| Темновой ток | 100 nA |
| Тип | IR Chip |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | Side Looker |