Ничего не куплено!
BSB056N10NN3 G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSB056N10NN3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BSB056N10NN3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 83 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Другие названия товара № | BSB056N10NN3GXT BSB056N10NN3GXUMA1 SP000604540 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | WDSON-2 |
Страница создана за 0.171 секунд.