Ничего не куплено!
RGTH80TS65DGC11
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: RGTH80TS65DGC11
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: RGTH80TS65DGC11
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Field Stop Trench IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 234 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 70 A |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Серия | RGTH80TS65D |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.14 секунд.