Ничего не куплено!
GS66506T-E01-TY
Производитель: GaN Systems
Номер части: GS66506T-E01-TY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: GS66506T-E01-TY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 650V 22A E-Mode GaN Preproduction Units
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| Qg - заряд затвора | 4.9 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 73 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | GaN Systems |
| Торговая марка | GaN Systems |
| Упаковка | Tray |
Страница создана за 0.281 секунд.