Ничего не куплено!
VNP10N06-E
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: VNP10N06-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: VNP10N06-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| VNP10N06-E Лист данных | скачать |
МОП-транзистор N-Ch 60V 10A OmniFET
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | VNP10N06-E |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Страница создана за 0.157 секунд.