Ничего не куплено!
BLP8G10S-45PGY
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BLP8G10S-45PGY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: BLP8G10S-45PGY
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
РЧ МОП-транзисторы Power LDMOS transistor
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 224 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 13 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S |
| Максимальная рабочая температура | + 225 C |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 960 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | HSOP-4 |
| Усиление | 20.8 dB |
Страница создана за 0.146 секунд.