2N3764

Производитель: Microsemi
Номер части: 2N3764
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
2N3764 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	500 mW
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	30 at 1 A at 1.5 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120 at 1 A at 1.5 V
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	900 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	PNP
Производитель	Microsemi
Технология	Si
Торговая марка	Microsemi
Упаковка / блок	TO-46-3

Метки: