Ничего не куплено!
2N3764
Производитель: Microsemi
Номер части: 2N3764
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2N3764
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| 2N3764 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 30 at 1 A at 1.5 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 at 1 A at 1.5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 900 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | Microsemi |
| Технология | Si |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-46-3 |
Страница создана за 0.15 секунд.