Ничего не куплено!
QSZ2TR
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: QSZ2TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: QSZ2TR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
| Описание | действие |
| QSZ2TR Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Высота | 0.85 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 100 mA at 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz, 280 MHz |
| Ширина | 1.6 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | QSZ2 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 at 100 mA at 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 140 mV, - 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | QSZ2 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
Страница создана за 5.003 секунд.