BSM180D12P2C101

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: BSM180D12P2C101
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSM180D12P2C101 Лист данных	скачать

Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 180A (no Diode)

Дискретные полупроводниковые модули
Высота	21.1 mm
Длина	122 mm
Количество каналов	1 Channel
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Ширина	45.6 mm
Id - непрерывный ток утечки	180 A
Pd - рассеивание мощности	1130 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V
Вес изделия	50 g
Вид монтажа	Screw Mount
Другие названия товара №	BSM180D12P2C101
Категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
Конфигурация	Half-Bridge
Продукт	Power Semiconductor Modules
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	12
Серия	BSMx
Тип	SiC Power MOSFET
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Bulk
CNHTS	8542319000
MXHTS	85423102
TARIC	8542319000

Метки: