FGA15N120ANTDTU_F109

FGA15N120ANTDTU_F109

FGA15N120ANTDTU_F109
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGA15N120ANTDTU_F109
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
FGA15N120ANTDTU-F109 Лист данных (PDF) скачать
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V NPT Trench
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Высота 18.9 mm
Длина 15.8 mm
Подкатегория IGBTs
Тип продукта IGBT Transistors
Ширина 5 mm
Вес изделия 6.401 g
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № FGA15N120ANTDTU_F109
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 24 A
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 450
Серия FGA15N120ANTDTU
Технология Si
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-3PN-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.135 секунд.