DMN1032UCB4-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN1032UCB4-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4.8 A
Pd - рассеивание мощности	1.16 W
Qg - заряд затвора	3.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	38 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	0.8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5.6 ns
Время спада	9 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DMN10
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN10
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	24 ns
Типичное время задержки при включении	3.3 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	U-WLB1010-4

Метки: