Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Вес изделия | 1.800 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.6 kV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 800 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 5 MHz |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FJP2160D |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |