SI2365EDS-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI2365EDS-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 5.9 A
Pd - рассеивание мощности	1.7 W
Qg - заряд затвора	13.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	32 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	32 us
Время спада	21 us
Другие названия товара №	SI4816DY-T1-E3-S
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	62 us
Типичное время задержки при включении	9 us
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: