STGE200NB60S

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGE200NB60S
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGE200NB60S Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 150Amp

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	600 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single Dual Emitter
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	200 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	200 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	100
Серия	600-650V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	ISOTOP-4

Метки: