Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| IFS200V12PT4 Лист данных | скачать |
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вес изделия | 419 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | IFS200V12PT4BOSA1 SP000525356 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | IGBT-Inverter |
| Максимальная рабочая температура | + 65 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 6 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |