Ничего не куплено!
Описание | действие |
IFS200V12PT4 Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
Вес изделия | 419 g |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | IFS200V12PT4BOSA1 SP000525356 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
Конфигурация | IGBT-Inverter |
Максимальная рабочая температура | + 65 C |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 6 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
CNHTS | 8541290000 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |