Ничего не куплено!
IXGH28N60B3D1
Производитель: IXYS
Номер части: IXGH28N60B3D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXGH28N60B3D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IXGH28N60B3D1 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 600V
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Вес изделия | 6.500 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 66 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 150 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXGH28N60 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247 |
Страница создана за 0.47 секунд.