Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| STD840DN40 Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 8 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V to 18 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | 500V to 1000V Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | DIP-8 |