BSM400GA120DN2

BSM400GA120DN2

BSM400GA120DN2
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSM400GA120DN2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности 2700 W
Вид монтажа Screw
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 550 A
Продукт IGBT Silicon Modules
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 10
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок 62 mm
Метки:
Страница создана за 0.129 секунд.