DMN10H120SE-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN10H120SE-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.6 A
Pd - рассеивание мощности	2.1 W
Qg - заряд затвора	10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	77 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	1.8 ns
Время спада	2.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Dual Drain
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN10
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	11 ns
Типичное время задержки при включении	3.8 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223-3

Метки: