Ничего не куплено!
IXDH20N120D1
Производитель: IXYS
Номер части: IXDH20N120D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXDH20N120D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1200V
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Вес изделия | 6.500 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.4 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 38 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXDH20N120 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.195 секунд.