F3L50R06W1E3_B11

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: F3L50R06W1E3_B11
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 0

Описание Характеристики

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V 50A

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	175 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	IGBT-Inverter
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	75 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	24
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	Module

Метки: