STGD6NC60H-1

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGD6NC60H-1
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGD6NC60H-1 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	62.5 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	15 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	600-650V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	IPAK-3

Метки: