FGA6560WDF

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGA6560WDF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Время выполнения производителем: 5 недель

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGA6560WDF Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Gen3 Trench IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Подкатегория	IGBTs
Тип продукта	IGBT Transistors
Pd - рассеивание мощности	306 W
Вес изделия	6.401 g
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	120 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	120 A
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Серия	FGA6560WDF
Технология	Si
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PN
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки: